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利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备了Ta（4nm）/NiO（t）/Ni81Fe19（20nm）/NiO（t）/Ta（3nm）系列坡莫合金薄膜样品,研究了NiO插层厚度、基片温度对其各向异性磁电阻和微结构的影响。利用四探针技术测量薄膜样品的各向异性磁电阻比（AMR）,利用X射线衍射仪（XRD）分析样品的相结构,用原子力显微镜（AFM）分析样品的表面形貌。结果表明,由于NiO插层的＂镜面反射＂作用,选择适当厚度的NiO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻比和磁场灵敏度。对于厚度为20nm的Ni8