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研究了激光的功率、标刻速度、频率等对打标深度的影响,通过多组实验,观察不同参数下,打标效果的变化。确定了激光功率为50%,标刻速度为100 mm/s,频率为20 k Hz,脉冲宽度为10μs的工艺参数,有效地改善了碳化硅晶片的标记效果,优化后的激光打标工艺更好地应用于Si C晶片生产加工中。