【摘 要】
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采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO（ZGO）透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划资助项目（2006AA05Z422）, 天津市科技攻关计划资助项目（06YFGPGX08000）, 天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目（08JCYBJC13100）
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采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO（ZGO）透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有（002）方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。
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