采用逆导型IGBT的新型3A/600V DIP-IPM

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三菱电机日前已开发出一种采用新型功率硅片技术的3A/600V超小型双列直插式智能功率模块(IPM),即第4代DIP-IPM。该技术将续流二极管的硅片集成到IGBT硅片上,从而将模块内部的硅片数量减少了一半,使得IPM的可靠性更高,功率密度更大。在此,介绍了这种新技术以及3A/600V第4代DIP-IPM的设计和特性。 Mitsubishi Electric has developed a 3A / 600V subminiature dual in-line intelligent power module (IPM) using the new power silicon technology, the 4th generation DIP-IPM. The technology integrates free-wheeling diode wafers into IGBT silicon to reduce the number of wafers inside the module in half, making the IPM more reliable and power-dense. Here, this new technology and the design and features of the 4th generation DIP-IPM for 3A / 600V are introduced.
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