二氧化锡纳米线的生长机理研究

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使用水平石英管式电炉,以二氧化锡和石墨的混合物为原材料、高纯氮气为载气,在850℃温度下用直接热蒸发法制备二氧化锡纳米线.衬底硅片的直径为10mm,其上覆盖一层5nm厚的金催化剂.原材料放在石英舟中,离原材料30mm的下风口处放置硅衬底,原材料和硅衬底都放置在石英管的中部电炉的恒温区内.用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察到二氧化锡的纳米线结构;X射线衍射(XRD)表明二氧化锡纳米线具有四方金红石结构;选区电子衍射(SAED)照片表明二氧化锡纳米线具有完善的晶体结构.不同生长时间下制备
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