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由 100 个 keV Ar+ 离子的 GaAs 复合半导体的房间温度照耀效果系统地借助于传播电子显微镜学被学习了。退火的 Ar+ 离子照耀和房间温度完成的剂量 dependenceoof 被调查了。试验性的结果证明 GaAs 的结构从通过水晶的完成式转变微弱地并且严重地损坏了对有照耀剂量的增加的非结晶的状态和损坏状态水晶在退火的房间温度期间被改变。