【摘 要】
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据《电子材料》(日)2009年第2期报道,富士通研究所和富士通微电子采用45nm CMOS工艺开发了无线系统功率放大器应用的高耐压晶体管,晶体管耐压由原来的6V提高到10V,适用于WiMA
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据《电子材料》(日)2009年第2期报道,富士通研究所和富士通微电子采用45nm CMOS工艺开发了无线系统功率放大器应用的高耐压晶体管,晶体管耐压由原来的6V提高到10V,适用于WiMAX这样的高频无线系统的功率放大器,该放大器与CMOS逻辑控制电路可以集成为单一芯片,实现高性能、低成本
According to “Electronic Materials” (Japan) No. 2, 2009 reported that Fujitsu Institute and Fujitsu Microelectronics using 45nm CMOS process developed high voltage transistors for wireless system power amplifier applications, the transistor withstand voltage increased from the original 6V to 10V, Power amplifier for high frequency wireless systems such as WiMAX, which integrates with CMOS logic control circuitry into a single chip for high performance, low cost
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