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为了研究低压环境对激光剥离的影响，利用准分子激光剥离系统和真空腔对GaN／蓝宝石样品分别在低压下和常压下进行多脉冲激光照射，之后用台阶仪测量样品的分解深度，得知相比常压环境，低压下GaN分解深度在脉冲次数为10次、20次、30次时分别增加了为10．2％，19．0％，24.3％，之后结合GaN材料分解过程和脉冲激光照射GaN／蓝宝石结构过程进行理论分析得到相应低压和常压下的GaN材料的理论分解深度，得到与实验一致的趋势。证明了低压环境能提高激光剥离速率。