氢化纳米非晶硅（na—Si：H）p—i—n太阳电池

来源 :云南师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：awander

【摘要】

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文章报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层.经过电池结构和工艺

【作者】

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胡志华廖显伯夏朝凤刁宏伟孔光临

【机构】

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云南师范大学能源与环境科学学院,中国科学院半导体研究所,云南师范大学能源与环境科学学院

【出处】

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云南师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2004年4期

【关键词】

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纳米非晶硅 pin薄膜太阳电池开路电压 PECVD nanomorphous silicon pin thin film solar cells open

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文章报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层.经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池.电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF).光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/c

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