【摘 要】
:
采用VIS 0.15 pm BCD工艺设计了一款应用于温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO)专用集成电路(ASIC)的数据修调电路.该数据修调电路由逻辑控制电路和一种电可擦可编程只读存储器(E
【机 构】
:
南开大学 电子信息与光学工程学院天津市光电传感器与传感网络重点实验室,天津 300350
论文部分内容阅读
采用VIS 0.15 pm BCD工艺设计了一款应用于温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO)专用集成电路(ASIC)的数据修调电路.该数据修调电路由逻辑控制电路和一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)构成,主要功能是完成TCOCXO ASIC中温度补偿的控制及实现芯片的多模式工作.与通过模拟函数发生器实现的补偿方式相比,使用该数据修调电路实现的温度补偿方法可以实现更高的补偿精度和更小的芯片面积.通过该电路对TCOCXO ASIC进行调试与配置,搭载该ASIC的晶体振荡器在温度为-40~85℃时频率-温度稳定度可达±5×10-9.TCOCXO ASIC的测试结果表明,这种修调方法在减小芯片面积的同时可以实现更高精度的频率-温度补偿.
其他文献
Bulk-heterojunction polymer solar cells(PSCs)as a clean and renewable energy resource have attracted great attention from both academia and industry[1−20].Recently non-fullerene PSCs based on polymer donors(PDs)and small molecule acceptors(SMAs)have achie
基于GaNHEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC.利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实现该功率放大器MMIC.该芯片的制作采用了 0.1
【目的】结合田间试验和盆栽试验,研究海藻肥对干旱胁迫条件下菜心产量和品质的影响,探讨其提高菜心抗旱性可能存在的机理,为海藻肥在叶菜上的应用提供理论支撑。【方法】1)田间试验以‘碧清菜心’为材料,于2017年分别在广州(华南主产区)和宁夏(供港澳有机蔬菜种植基地)开展,土壤水分设为正常供水(70%~75%田间土壤最大持水量)和干旱(50%~55%田间土壤最大持水量)两个水平,设置清水对照(CK)、海藻提取物(SE)、水溶化肥(NPK)、海藻肥(NPK+SE)4个处理。在菜心移栽7、14和21天时进行冲施,每
Metal halide perovskites have gained a lot of attention particularly in recent years due to their excellent optoelectronic properties and simple scalable processability[1−3].One major application of halide perovskites is solar cells,however,despite the po
In recent years,perovskite solar cells(PSCs)have attracted tremendous attention due to their high power conversion efficiencies(PCEs)and tailorable optoelectronic properties.Up to now,the certified PCE of lab-scale PSCs has climbed up to 25.5%(see https:/
采用机械剥离法得到二维MoS2材料并将其转移到SiO2/Si衬底上,采用光刻、剥离工艺制备出二维MoS2晶体管。将二维MoS2晶体管浸泡在不同质量浓度的聚乙烯醇(PVA)溶液中,然后旋涂成膜并退火实现掺杂。对掺杂前后二维MoS2晶体管的电学性能进行测试。测试结果显示,当PVA溶液质量浓度为0.5%、1%和2%时,掺杂后的二维MoS2晶体管开态电流提高到3倍、3.6倍和10倍,有效电子迁移率提高到1
With recent developments of deep ultraviolet(DUV)light-emitting diodes and solar-blind detectors,UV communication(UVC)shows great potential in replacing traditional wireless communication in more and more scenarios.Based on the atmospheric scattering of U
通过使用工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真技术提出了一种新型的带有夹层的垂直U型栅极隧穿场效应晶体管(TFET)结构。该器件是通过优化基于Ge的栅极金属核垂直纳米线TFET结构获得的。通过在沟道中增加重掺杂夹层,器件的平均亚阈值摆幅(SSavg)得到了改善;又通过改变器件的源极和漏极材料,器件的开关电流比(Ion/Ioff)得到了改善。对夹层的掺杂浓度和厚度以及沟道的高度也进行了优化。最终优化后的器件开态电流为220μA/μm,关态电流为3
锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域.InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能.采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜
随着GaN功率放大器的发展,其工作电压和输出功率越来越大,对电源调制器的要求也越来越高。介绍了一种用于36 V、500 W GaN功率放大器的电源调制器模块。该模块基于自主研发的芯片组合设计而成,使用了一款50 V调制驱动器作为核心控制芯片,一款60 V高压PMOSFET作为调制开关,一款固定输出电压的线性稳压器,一款负压线性稳压器为功率放大器提供栅极偏置电压。经实验验证,该模块电路可以为36 V、500 W的GaN功率放大器提供稳定可靠的漏极控制电压及栅极偏置电压。此外,栅、漏电压上电时序受控,输出信号