【摘 要】
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在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比(T形栅头部尺寸与栅长的比值)并优化T形栅的形
【机 构】
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中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,
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在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比(T形栅头部尺寸与栅长的比值)并优化T形栅的形状.所得的0.18μm栅长的器件,其特征频率(fT)为65GHz,T形栅的宽窄比为10.同时,测得的峰值跨导为287mS/mm,最大电流密度为980mA/mm.
Fabrication of AlGaN / GaN HEMTs on Sapphire Substrates Due to the new T-Gated electron beam lithography scheme, the T-gate width-to-width ratio (T-gate length and gate width Long ratio) and optimizing the shape of the T-shaped gate.The resultant 0.18-μm gate-length device had a characteristic frequency (fT) of 65 GHz and a T-shaped gate with a narrow-to-narrow ratio of 10. At the same time, the measured peak transconductance was 287 mS / mm, the maximum current density is 980mA / mm.
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