【摘 要】
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Mixed halide perovskites (MHPs) have attracted atten-tion due to their tunability of optoelectronic properties and es-pecially the bandgap,which is useful for tandem solar cells.Un-fortunately,MHPs undergo phase separation under illumina-tion.It can form
【机 构】
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Hunan Key Laboratory for Micro-Nano Energy Materials and Devices,School of Physics and Optoelectroni
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Mixed halide perovskites (MHPs) have attracted atten-tion due to their tunability of optoelectronic properties and es-pecially the bandgap,which is useful for tandem solar cells.Un-fortunately,MHPs undergo phase separation under illumina-tion.It can form low-bandgap iodide-rich phases as charge re-combination centers,causing the reduction of open-circuit voltage (Voc) and device photoinstability.To address this is-sue,many approaches have been used[1].
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降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不同能量的脉冲激光进行退火实验,利用X射线衍射(XRD)和探针台对晶圆背面镍硅合金进行测量分析,得出最佳能量为3.6 J/cm2.退火后采用扫描电子显微镜(SEM)观察晶圆背面碳团簇,针对背面的碳团簇问题,在Ar2气氛下对晶圆进行了表面处理,使用SEM和探针台分别对两组样品的表面形貌和电压-电流特性进行了对比分析.实验结果表明,通过表面处理可以有效降低表面的碳含量,并
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法.使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线.从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的控制这三个方面改善了滑移线.结果 表明,随着衬底倒角背面幅长和基座背面凹槽深度的增加,外延片的滑移线长度均呈现先减小后增大的趋势.衬底倒角最佳背面幅长为500 μm,基座背面凹槽的最佳深度为0.80 mm.同时,在873 K下恒温3 min的升温工艺可以减少厚层硅外延片的滑移线.
目的:探讨超声剪切波弹性成像(SWE)技术联合高频超声(HFUS)诊断类风湿性关节炎(RA)患者膝关节病变的效能.方法:回顾性分析2019年3月至2021年3月该院收治100例RA患者的临床资料.所有患者均接受SWE、HFUS及关节镜检查,以关节镜检查结果为“金标准”,统计膝关节病变情况,比较发生膝关节病变组与未发生膝关节病变组SWE检查相关指标[杨氏模量平均值(Emean)、杨氏模量最大值(Emax)和杨氏模量最小值(Emix)]水平及HFUS指标(髌上囊内滑膜厚度值、髌上囊积液深度)水平,分析SWE技
目的:探讨血清同型半胱氨酸(Hcy)、趋化因子样受体1(CMKLR1)水平在糖尿病视网膜病变(DR)患者中的表达及临床意义.方法:回顾性分析2020年6月至2021年6月该院收治的110例2型糖尿病(T2DM)患者的临床资料,根据是否合并DR分为DR组(n=72)和非DR组(n=38),其中DR组根据病情程度分为非增殖型组(n=41)和增殖型组(n=31),另选取40名同期体检的健康者作为对照组.所有受试者均检测血清Hcy、CMKLR1水平,比较DR组、非DR组、对照组Hcy、CMKLR1水平、非增殖型组
为缩短高速模数转换器(ADC)中高位(MSB)电容建立时间以及减小功耗,提出了一种基于分段式电容阵列的改进型逐次逼近型(SAR) ADC结构,通过翻转小电容阵列代替翻转大电容阵列以产生高位数字码,并利用180 nm CMOS工艺实现和验证了此ADC结构.该结构一方面可以缩短产生高位数码字过程中的转换时间,提高量化速度;另一方面其可以延长大电容的稳定时间,减小参考电压的负载.通过缩小比较器输入对管的面积以减小寄生电容带来的误差,提升高位数字码的准确度.同时,利用一次性校准技术减小比较器的失配电压.最终,采用
目的:观察高级模型迭代重建算法(ADMIRE)低管电压CT扫描对上腹部平扫患者辐射剂量及图像质量的影响.方法:回顾性分析2019年7月至2020年7月该院收治的70例行上腹部CT扫描患者的临床资料,依据管电压不同分为观察组36例和对照组34例.对照组采用ADMIRE常规管电压CT扫描,观察组采用ADMIRE低管电压CT扫描,比较两组肝脏、竖脊肌CT值,辐射剂量相关指标[剂量长度乘积(DLP)、有效辐射剂量(ED)、容积CT剂量指数(CTDIvol)]水平,主观图像质量、客观图像质量[背景噪声标准差(SD)
为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器.采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流保护等模块的静态电流.采用自适应偏置电流技术来动态调整稳压环路各支路的工作电流以及零点频率补偿方式,解决了静态功耗与瞬态响应和环路带宽间的矛盾.该LDO线性稳压器采用0.35 μm CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,该LDO线性稳压器静态电流为700 nA,最大负载电流为150
基于CMOS兼容的硅基光子集成工艺,设计并实现了一种具有高边带抑制比的硅基单片集成单边带调制器.单边带调制器采用正交混合耦合器实现上下两臂等幅度、90°相位差的射频信号加载,基于硅基双驱动马赫曾德尔调制器的热移相器调控上下两臂光相位差为90°,实现了效果显著的单边带抑制.基于CUMEC公司CSiP180 A1工艺和工艺设计包(PDK)完成芯片制备,采用金丝引线实现了正交混合耦合器的空气桥结构.测试结果显示该硅基单片集成单边带调制器在18～ 32 GHz频率内边带抑制比均高于12 dB,在21 GHz工作频
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目的:比较Meek植皮术和微粒皮移植术治疗特大面积深度烧伤患者的效果.方法:回顾性分析2018年6月至2020年6月该院烧伤科收治的100例特大面积深度烧伤患者的临床资料,按手术方法不同分为对照组和研究组各50例.对照组采用微粒皮移植术,研究组采用Meek植皮术.比较两组植皮效果、手术相关指标(手术时间、创面愈合时间、住院时间和治疗费用)、患者满意度和并发症发生率.结果:研究组植皮优良率为90.00％(45/50),显著高于对照组的56.00％(28/50),植皮达优率为60.00％(30/50),显著高