【摘 要】
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采用0.5 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款0.1～2.0 GHz的高线性度低噪声放大器芯片.针对偏置电压随电源波动的问题,提出一种新型的具有稳压功能的有源偏置电路,既能补偿放大管阈值电压随温度的变化,又不受电源电压波动影响,同时在放大管的栅源两端增加反馈电容,以改善线性度与输入输出匹配度.测试结果显示,在频带内最大增益可达23 dB,噪声系数小于1.4dB,OIP3大于35 dBm,P1dB大于23 dBm,芯片尺寸为1.00 mm×0.95 mm.
【机 构】
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西安邮电大学电子工程学院,西安,710121
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采用0.5 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款0.1～2.0 GHz的高线性度低噪声放大器芯片.针对偏置电压随电源波动的问题,提出一种新型的具有稳压功能的有源偏置电路,既能补偿放大管阈值电压随温度的变化,又不受电源电压波动影响,同时在放大管的栅源两端增加反馈电容,以改善线性度与输入输出匹配度.测试结果显示,在频带内最大增益可达23 dB,噪声系数小于1.4dB,OIP3大于35 dBm,P1dB大于23 dBm,芯片尺寸为1.00 mm×0.95 mm.
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