论文部分内容阅读
以三氯甲基硅烷（CH3SiCl3）为前驱体,采用化学气相沉积法（Chemical vapor deposition,CVD）,在原位生长有碳纳米管（Carbon nanotubes,CNTs）的C/C复合材料表面制备SiC涂层。用扫描电镜（SEM）和X射线能谱仪（EDS）观察和分析涂层微观形貌及成份。研究沉积温度（1 000~1 150℃）对SiC涂层的表面、截面以及SiC颗粒的微观形貌的影响。结果表明：在1 000℃下反应时,得到晶须状SiC;沉积温度为1 050℃时涂层平整、致密;沉积温度提高到1 1