【摘 要】
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用高分子辅助沉积法在Si（001）基底上以SiO2为缓冲层成功地制备出LaBaCo2O5＋δ（LBCO）薄膜。X射线衍射谱证明了LBCO/Si（001）薄膜是（111）择优取向的单相赝立方结构。从LBCO薄膜样品的SEM
【机 构】
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电子科技大学电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室
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用高分子辅助沉积法在Si（001）基底上以SiO2为缓冲层成功地制备出LaBaCo2O5＋δ（LBCO）薄膜。X射线衍射谱证明了LBCO/Si（001）薄膜是（111）择优取向的单相赝立方结构。从LBCO薄膜样品的SEM照片可以看出,LBCO薄膜的晶粒大小并不均匀,其大的晶粒尺寸为1-2μm,小的晶粒尺寸为0.1-0.2μm;同时,可以明显观察到一些小的空隙,这些空隙有利于氧气的吸附及扩散。在LBCO薄膜的电阻（R）-温度（t）曲线测试中,电阻随温度的升高先急剧下降后缓慢下降,表明LBCO薄膜具有典型的半
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