【摘 要】
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据报导,日本电气公司研制出在高速计算机领域能够与硅 LSI 配合用的超高速 GaAs LSI.这种与 Si LSI 可互换的 GaAs LSI,其所用电源电压、输入输出信号电平与 Si ECL一致。在
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据报导,日本电气公司研制出在高速计算机领域能够与硅 LSI 配合用的超高速 GaAs LSI.这种与 Si LSI 可互换的 GaAs LSI,其所用电源电压、输入输出信号电平与 Si ECL一致。在电路中所用的单元电路为耗尽型 FET 结构。这种电路由3646个晶体管、1136个二极管以及45个电阻来组成,能完成1013个逻辑门功能。工作速度为硅的4倍(t_(pd)=170ps),功耗为硅的三
It has been reported that NEC has developed an ultra-high-speed GaAs LSI that can be used with a silicon LSI in the field of high-speed computers. The GaAs LSI, which is interchangeable with the Si LSI, has the same power supply voltage and input-output signal level as the Si ECL . The unit circuit used in the circuit is a depletion mode FET structure. This circuit consists of 3646 transistors, 1136 diodes and 45 resistors to complete the function of 1013 logic gates. Working speed of silicon 4 times (t_ (pd) = 170ps), power consumption of silicon three
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