具有与硅互换性的超高速 GaAs LSI

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:GAODAOQUAN
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
据报导,日本电气公司研制出在高速计算机领域能够与硅 LSI 配合用的超高速 GaAs LSI.这种与 Si LSI 可互换的 GaAs LSI,其所用电源电压、输入输出信号电平与 Si ECL一致。在电路中所用的单元电路为耗尽型 FET 结构。这种电路由3646个晶体管、1136个二极管以及45个电阻来组成,能完成1013个逻辑门功能。工作速度为硅的4倍(t_(pd)=170ps),功耗为硅的三 It has been reported that NEC has developed an ultra-high-speed GaAs LSI that can be used with a silicon LSI in the field of high-speed computers. The GaAs LSI, which is interchangeable with the Si LSI, has the same power supply voltage and input-output signal level as the Si ECL . The unit circuit used in the circuit is a depletion mode FET structure. This circuit consists of 3646 transistors, 1136 diodes and 45 resistors to complete the function of 1013 logic gates. Working speed of silicon 4 times (t_ (pd) = 170ps), power consumption of silicon three
其他文献
请下载后查看,本文暂不支持在线获取查看简介。 Please download to view, this article does not support online access to view profile.
记者熊文报道UPS供应商爱克赛公司干11月19日推出Powerware5 125、9305、9340三款新产品。 Powerware5125功率范围为1K-3KVA,能为PC机、工作站和服务器提供电源管理。Powerw
日本电报电话公用公司(NTT)电信实验室研制成一种10万个元件的16K位砷化镓静态随机存取存储器(SRAM),其集成度比NTT1983年2月生产的器件大4倍。这项研制工作是在无缺陷GaAs
在这一期主权技术通报中我们继续向大家介绍新近推出的主板,出现在本期主权技术通报中的除了艾葳KA266-R,升技KT7A和矽统SIS 730S三块主板外,还有冠盟公司送测的三块主板,分
熟悉《杜拉拉升职记》的人都知道,“玫瑰”虽不是所谓的一号女主角,但却是让人不可小看的狠角色。这部影片致力于打造白领肘尚大片的定位,更是让无数爱美女星都暗自跃跃欲试,毕竟
定量分析了气体钻井中气-固两相流对井筒的冲蚀作用。结果表明,冲蚀作用最大的点在井底,这有助于破岩;井口段套管和钻杆的冲蚀作用次之,这是有害的。提出了在环空井口加载回
例1故障现象一辆福特蒙迪欧2.0 L轿车,累计行驶1万km,起动发动机后踩加速踏板,感觉加速踏板发硬。故障排除检查节气门拉索,有阻滞的感觉。因该车在保修期内,就先更换了节气门
提供600×1200dpi光学分辨率,具有36bit的色彩深度,扫描质量良好,适合一般家庭用户使用。 Provide 600 × 1200dpi optical resolution, with 36bit color depth, good scan
利用我室现有的激光器,对工业瓷粉片做了熔化情况的实验,结果如下表所示: The use of our existing lasers, industrial porcelain powder melted the experiment, the res
由机械电子工业部仪器仪表司和中国燕兴总公司联合主办的光学技术杂志创刊十四周年庆祝会于一九八九年元月在北京召开。机械电子工业部仪器仪表司乔世昆副司长、中国燕兴总