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,Radio-Frequency Performance of Epitaxial Graphene Field-Effect Transistors on Sapphire Substrates
【机 构】
:
National Key Laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang 050051
【出 处】
:
中国物理快报(英文版)
【发表日期】
:
2014年7期
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