【摘 要】
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采用光刻胶喷涂技术,突破了碲镉汞双色探测器加工的非平面离子注入和金属化开口等工艺.基于分子束外延（MBE）和原位掺杂技术生长的p3-p2-P1型碲镉汞（Hg1-xCdxTe）多层异质结材料,通
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院研究生院
【基金项目】
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国家自然科学基金（6070612）, 中国科学院国防科技创新基金（cxjj-10-m29）
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采用光刻胶喷涂技术,突破了碲镉汞双色探测器加工的非平面离子注入和金属化开口等工艺.基于分子束外延（MBE）和原位掺杂技术生长的p3-p2-P1型碲镉汞（Hg1-xCdxTe）多层异质结材料,通过MW光电二极管n型注入区的开口刻蚀、非平面的MW/LW同步B＋注入、台面侧向钝化和爬坡金属化,得到了同时模式的128×128面阵MW/LW双色探测器.在液氮温度下,MW/LW双色探测器两个波段的光电二极管截止波长λc分别为5.10μm和10.10μm,对应的峰值探测率Dλp＊分别为2.02×10
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