长波HgCdTe光电二极管：n^＋在p上面的结构与p在n上面的结构的比较

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【摘要】

：

从理论上ｎ＾＋在ｐ上和ｐ在ｎ上的ＨｇＣｄＴｅ光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机现控制的热发生的结果，对于工作于７７Ｋ，采用０．１ｅＶ基材料的两种类型的ＨｇＣｄＴｅ光电二极管，均考虑了结位

【作者】

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Rogal. A 顾聚兴

【机构】

：

波兰华沙军事理工大学技术物理学院

【出处】

：

红外

【发表日期】

：

1996年5期

【关键词】

：

HGCDTE 光电二极管 PN结

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从理论上ｎ＾＋在ｐ上和ｐ在ｎ上的ＨｇＣｄＴｅ光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机现控制的热发生的结果，对于工作于７７Ｋ，采用０．１ｅＶ基材料的两种类型的ＨｇＣｄＴｅ光电二极管，均考虑了结位置对Ｒ０Ａ积，光电增益以及噪声的影响。尤其是，详细分析了两种结构的作为截止波长的温度的函数的Ｒ０Ａ积。就假定的同质结基区掺杂浓度而言（对于ｎ＾＋在ｐ上的结构，Ｎａ＝５×１０＾１５ｃｍ

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