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采用磁控溅射和热处理系统制备Mg2Si/Si异质结。首先在n-Si（111）衬底上沉积Mg膜,经热处理后得到Mg2Si/Si异质结。利用XRD、SEM、表面轮廓仪、伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪,研究了Mg2Si/Si异质结的晶体结构、表面形貌、Mg2Si薄膜厚度、I-V特性及导电类型。结果表明,成功制备了Mg2Si/Si异质结,并得到其平均载流子浓度（-9.30×10^12 cm^-3）、导通电压（0.31V）、导通电流（0.6mA）、工作电压（0.53V）等,测得该异质结为n-n型。