碳纳米管逻辑“或”门器件

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据报导,发明专利技术碳纳米管逻辑“或”门器件,包括衬底,在衬底上设绝缘层、碳纳米管、栅极、电极及电阻;在绝缘层上的沟槽内设两栅极,在两栅极两侧的绝缘层上的沟槽内设两电极;一碳纳米管与栅极和电极接触;两电极中的一电极接地,另一电极通过电阻与一恒压相连。该器件利用两个栅极控制碳纳米管截止或导通,从而实现逻辑“或”功能;与其他碳纳米管逻辑电路相比,该逻辑“或”门电路结构简单,且易于制作和集成。 It is reported that patented technology of carbon nanotube logic gate devices, including the substrate, the insulating layer is provided on the substrate, carbon nanotubes, gates, electrodes and resistors; provided in the trench on the insulating layer Two gates, two electrodes are arranged in the groove on the insulating layer on both sides of the two gates; one carbon nanotube is in contact with the gate and the electrode; one of the two electrodes is grounded; the other electrode is connected to a constant voltage Connected. The device uses two gates to control the CNTs to turn off or on to achieve a logic OR function, which is simple and easy to implement compared to other CNT circuits Production and integration.
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