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根据CMOS集成温度传感器对器件的要求，对MOS器件的亚阂值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比，选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件，并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析，最后对不同类型电阻进行了分析对比，为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础。
CMOS集成温度传感器中的器件模型分析
【摘 要】
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根据CMOS集成温度传感器对器件的要求，对MOS器件的亚阂值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比，选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件，并对衬底PNP管压电结型效应
【机 构】
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湖南工程职业技术学院,湖南大学应用物理系
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2006年7期
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