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介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估。展示了在0．13μm及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果。
光刻胶等效扩散长度对0．13μm工艺窗口的影响
【摘 要】
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介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估。展示了在0．13μm及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的
【机 构】
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上海华虹NEC电子有限公司
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年7期
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