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理论上对ZnO能带的计算一般采用局域密度近似（LDA），而该方法得到的带隙结果却被严重的低估了。在本文中，我们在密度泛函理论的LDA近似的框架下，通过第一性原理GW近似（GWA）对ZnO的能带进行了修正。在LDA和GWA计算中，将Zn3d电子作为价电子，LDA结果表明ZnO是一种直接带隙半导体，同时讨论了LDA和GWA计算得到的能带之间的差异。