【摘 要】
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提出了一种新颖的900～1 200MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法。电路采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺制作。测试结果显示,设计的高线性低噪声放大器增益
【机 构】
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重庆西南集成电路设计有限责任公司,
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提出了一种新颖的900～1 200MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法。电路采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺制作。测试结果显示,设计的高线性低噪声放大器增益为16.4dB,噪声系数为2.5dB,输入1dB压缩点为-6.0dBm,功耗为50mW(电源电压为5V),尺寸为720μm×950μm。
A novel topology of 900 ~ 1 200MHz high linearity low noise amplifier is proposed. The design method of circuit layout is introduced. Circuit using 0.35μm SiGe BiCMOS process. The test results show that the designed high linear low noise amplifier has a gain of 16.4dB, a noise figure of 2.5dB, an input 1dB compression point of -6.0dBm, a power consumption of 50mW (supply voltage of 5V) and a size of 720μm × 950μm.
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