SIPOS／Si异质结特性的研究

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：akljdhnaliuhda

【摘要】

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采用红外吸收光谱分析了ＳＩＰＯＳ薄膜中Ｓｉ－Ｏ键的结构，对比分析了热退火和快速灯光退火对ＳＩＰＯＳ中Ｓｉ－Ｏ键结构的影响，并结合ＳＩＰＯＳ／Ｓｉ结构的Ｃ－Ｖ、Ｉ－Ｖ测试结果，对该结构的异质结特性进行了分析。

【作者】

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【机构】

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华中理工大学固体电子学系

【出处】

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微电子学

【发表日期】

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1996年2期

【关键词】

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