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采用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0~2.6μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.
GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长
【摘 要】
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采用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0~2.6μm.高分辨透射电子显微镜观察
【机 构】
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中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年7期
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