【摘 要】
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报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。
The experimental results of the change of near-infrared absorption coefficient of GaAs fil
【机 构】
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北京大学物理学系, 集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区, 集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区, 中国科学院半导体研究所
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报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。
The experimental results of the change of near-infrared absorption coefficient of GaAs films grown by MOVPE technique under the action of He-Ne laser field are reported.
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