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通过Dracula版图参数提取工具对某型号VDMOS金属层提取电阻模型，并对此模型进行Hspice模拟，确定了金属层厚度大于5μm时，金属层电阻对VDMOS的导通电阻影响较小。同时提出了双层金属工艺方法，实现VDMOS金属层的全湿法腐蚀。
低压VDMOS金属层电阻的模拟分析
【摘 要】
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通过Dracula版图参数提取工具对某型号VDMOS金属层提取电阻模型，并对此模型进行Hspice模拟，确定了金属层厚度大于5μm时，金属层电阻对VDMOS的导通电阻影响较小。同时提出了双层
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2008年3期
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