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对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜A1N／NbN以及三层薄膜NbN／AIN／NbN应用透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，TEM）技术进行了分析研究，对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了较为清晰的图像。由透射电子显微镜的电子衍射图案计算了薄膜和单晶衬底的品格常数，并与我们以前采用X射线衍射技术分析的结果进行了比较，结果有很好的吻合。