【摘 要】
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研究了受强光辐照的硅光电二极管的热损伤。报道了由1.06微米激光脉冲辐照的硅光电二极管的损伤阈值,辐照时间τ为10-s～1秒。阈值激光辐照产生可见的微观损伤,并使光响应永久
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研究了受强光辐照的硅光电二极管的热损伤。报道了由1.06微米激光脉冲辐照的硅光电二极管的损伤阈值,辐照时间τ为10-s～1秒。阈值激光辐照产生可见的微观损伤,并使光响应永久降级。响应度的损失随激光感应加热引起的检波二极管特性的降级而来。时间与波长的依赖关系同处理由高斯激光束辐照的半无限材料的热模型所顶言的相符。对短的辐照时间,能量密度阈值与τ无关,对长的时间,随τ的增加而渐趋于一个有限特性。对1.06微米辐射,其经验关系式为 E0=65[1+217τ/tan-1（258τ）1/2]焦耳·厘米-2。1.06微米辐射在短辐射时间内对探测器的损伤阈值比0.6943微米辐射约大25倍。对0.6943微米较大的敏感性归因于较大的光吸收系数。
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