【摘 要】
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多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2
【机 构】
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中山大学太阳能系统研究所,华南理工大学材料科学与工程学院,华南理工大学机械工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（50376067）
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多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法（RTCVD）制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30～40μm,沉积速率达3～7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明：当沉积温度在900～1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平
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