透明导电氧化物（Transparent conducting oxides, TCOs）是一种重掺杂的半导体材料，在液晶显示屏、触摸屏、太阳能电池等领域都有广泛的应用。重掺杂、高简并的特性使得TCOs内存在大量的自由电子，具有接近金属的高电导率。同时，TCOs具有较大的禁带宽度，提供了高可见光透射率。氧化铟锡（Indium tin oxide,ITO）薄膜作为一种透明导电氧化物薄膜，具有禁带宽度宽、可见光透过性高、近红外反射性高及电阻率低等优点。因为，该材料是目前使用最广泛的透明导电氧化物，约占国际市场份额的97%。ITO薄膜仍存在一些亟待解决的缺点，如In元素的稀缺性导致ITO薄膜成本较高、薄膜在近红外区域透光性较差、较大的脆性难以满足现代光电器件对柔性的要求等。随着科技发展以及各种电子元器件的更新换代，ITO薄膜的各项性能不再能满足应用的需要，如何进一步提高ITO薄膜的性能成为当今研究的一个热点。对ITO薄膜进行元素掺杂可以提高其综合性能。高价金属元素的不等价置换可以产生自由电子，通过提高载流子浓度、载流子迁移率控制ITO薄膜载流子的散射机制，可以进一步优化薄膜的光电性能。在力学性能方面，通过引入杂质元素可以抑制ITO薄膜表面载流子迁移、提高其结晶温度，从而抑制薄膜的结晶，减小薄膜内应力。另一方面，为了应对高温、高压、强腐蚀性环境，利用元素掺杂可以促进钝化层的形成，提高化学键的稳定性。本文综述了元素掺杂ITO薄膜的研究进展，介绍了杂质元素掺杂的手段，以及其对ITO薄膜光电特性、力学性能、稳定性影响的相关研究，总结了目前研究中尚存的盲区，并提出了元素掺杂ITO薄膜的发展方向。