【摘 要】
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无机纳米杂化聚酰亚胺（PI）薄膜具有优良的耐电晕特性，通过观察击穿孔区形貌研究薄膜击穿机理及纳米颗粒的作用，利用SEM观察阶梯式升压强电场击穿无机纳米杂化PI薄膜孔区形貌，能谱
【基金项目】
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国家自然科学基金重点资助项目（50137010）.
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无机纳米杂化聚酰亚胺（PI）薄膜具有优良的耐电晕特性，通过观察击穿孔区形貌研究薄膜击穿机理及纳米颗粒的作用，利用SEM观察阶梯式升压强电场击穿无机纳米杂化PI薄膜孔区形貌，能谱仪测试孔区附近元素分布．研究表明：杂化薄膜严重破坏区域仅局限在孔洞附近10～50μm范围内，随半径增加，其表面由颗粒大小不均匀、表面粗糙不平，逐渐过渡到颗粒均匀的微观结构状态；Cu含量逐渐减少，Au含量逐渐增加，正常区域电极表面没有损伤；氧化铝纳米颗粒在杂化薄膜中起到阻止电极破坏的作用，薄膜击穿机理属热击穿类型．
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