【摘 要】
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超级电容器具有更大的功率密度、优秀的循环稳定性、极快的充放电速度、超长的循环寿命以及环境友好等突出特点,其性能与构件关系密切,其中最根本的就是组成它的电极材料.本研究主要采用传统的水热法制备出钴酸镍(NiCo2 O4)电极材料,进而通过离子交换(二次水热)制得镍钴硫(NiCo2 S4),最后利用化学浴沉积(CBD)法使其与钴酸镍复合,得到最终所需的三维网络结构NiCo2 S4@NiCo2 O4复合电极.经过表面形貌表征、循环伏安测试、恒电流充放电测试以及比电容计算分析等可以证明:三维网络结构NiCo2 S
【机 构】
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中国电子科技南湖研究院,嘉兴 314000
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超级电容器具有更大的功率密度、优秀的循环稳定性、极快的充放电速度、超长的循环寿命以及环境友好等突出特点,其性能与构件关系密切,其中最根本的就是组成它的电极材料.本研究主要采用传统的水热法制备出钴酸镍(NiCo2 O4)电极材料,进而通过离子交换(二次水热)制得镍钴硫(NiCo2 S4),最后利用化学浴沉积(CBD)法使其与钴酸镍复合,得到最终所需的三维网络结构NiCo2 S4@NiCo2 O4复合电极.经过表面形貌表征、循环伏安测试、恒电流充放电测试以及比电容计算分析等可以证明:三维网络结构NiCo2 S4@NiCo2 O4复合电极的比电容及循环稳定性等远远优于复合前单一的纯NiCo2 O4电极材料,具有极大应用前景.
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本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术在p型4H-SiC衬底上,制备出沿(403)择优生长的β-Ga2 O3薄膜.结果表明,衬底生长温度对β-Ga2 O3薄膜的形貌、结构、组分,以及生长机理都有重要影响.当生长温度由300℃升高至500℃时,薄膜结晶质量随生长温度升高而提高,当温度进一步升高到600℃时,薄膜结晶质量变差,这是由于在相对低温(500℃以下)阶段,生长温度越高,沉积在衬底上原子的动能越大,越容易迁移,使得β-Ga2 O3薄膜主要按照二维生长模式进行生长,薄膜结晶质量提高,表现为随着生长温度升高,
采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上同时沉积In、Al液滴形成纳米结构,利用原子力显微镜(AFM)对实验样品进行形貌表征,并通过X射线光电子能谱(XPS)与扫描电子显微镜分析In、Al组分比样品表面元素分布.实验结果显示,混合沉积后的表面InAlAs纳米结构密度随着In组分的降低而降低,而单个纳米结构的尺寸变大.SEM与XPS测试结果证明表面的In并没有因为衬底温度过高而全部偏析.根据实验结果推测,In&Al液滴同时沉积到表面形成InAl混合液滴.当液滴完全晶化后纳米结构中心出现孔洞,而产生这一现象的
为了研究Na+掺杂对Ca2 GdNbO6:0.03Sm3+荧光粉发光性能的影响,本文采用高温固相反应法成功制备了一系列Ca2GdNbO6:0.03Sm3+,xNa+(x=0.01、0.03、0.05、0.07、0.10;x为摩尔分数)荧光粉.XRD图谱和精修结果表明,Na+成功掺入Ca2 GdNbO6:0.03Sm3+晶格.发光性能测试结果表明,Na+的掺入提高了Ca2 GdNbO6:0.03Sm3+荧光粉的发光强度,其最佳掺杂浓度为5％.在406 nm波长激发下,荧光粉在602 nm(4 G5/2→6
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