集成电路铝金属化系统电迁移失效机理研究

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本文研究了国产中规模集成电路铝金属化系统电迁移失效机理以及磷硅玻璃(PSG)和聚酰亚胺钝化层对铝条失效行为的影响,并对铝条的形貌进行了扫描电镜观察和分析。实验测得铝条电迁移失效激活能为0.48eV。 In this paper, the mechanism of electromigration failure of aluminum-metallization system in domestic medium-scale integrated circuits and the effect of PSG and polyimide passivation layers on the failure behavior of aluminum strips were investigated. The morphology of aluminum strips was characterized by scanning electron microscopy Observation and analysis. Experimentally measured aluminum electrocatalytic failure activation energy of 0.48eV.
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