【摘 要】
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通过显微拉曼（Raman）光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍（Be）原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生长在GaAs衬底（100）面上的GaAs/AlAs多量子阱,
【机 构】
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山东大学（威海）空间科学与物理学院
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通过显微拉曼（Raman）光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍（Be）原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生长在GaAs衬底（100）面上的GaAs/AlAs多量子阱,阱宽范围从30到200A^°,并在阱中央进行了受主Be原子的δ掺杂.在4.2K液氦温度下,对样品进行了Raman光谱测量,并与光致发光（PL）光谱进行了对比,清楚地观测到了受主原子从基态能级1S3/2（Γ6）到第一激发态能级2S3/2（Γ6）之间的跃迁.根据量子力学中的变分原理和打靶法算法,计
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