受主能级相关论文
采用原位碳热还原法制备了硼掺杂的β-SiC(Bx SiC)光催化剂,并考察了其可见光下光催化分解水制氢的性能.利用X射线衍射仪、X射线光......
对不同Ｓｂ掺杂浓度Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ≈０３８）样品在３９—１１５Ｋ的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．并用......
采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。......
借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和......
研究了氧化锌薄膜的制备方法,比较了各种制备方法的特点,衬底的作用和衬底的选取。分析了p型掺杂的方法和实现途径,并进行了理论上......
采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂......
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发......
利用气相输运方法,在(111)面硅衬底上制备了名义上原子数分数为2%的Li掺杂的ZnO纳米棒(样品A)。作为比较,我们在相同的生长条件下......
n型HgCdTe晶体在室温下或者在受热的情况下存放一段时间后会变成p型HgCdTe晶体。实验表明:这种在输运性质和寿命方面的不稳定性也......
n 型碲镉汞在80°K 受电子辐照后电子密度增加,其速率取决于瞬时电子密度——费密能级。为说明这些结果,提出了缺陷能级模型,它由......
本文中,我们对液相外延生长的掺Ge-p型Ga_(1-x)Al_xAs(x...
本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10~(12)—1×10~(20)cm~(-3)含硼或磷(砷)Si的电学性质。单晶Si材料是由直拉法与浮带......
用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-40......
通常用各种结谱方法求得的深能级激活能实际上是在测量温度范围内的平均离化焓.本文通过对作者最近观测到的两个硅中与铜有关的深......
在研究硅n~+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加......
在测量霍尔效应时,用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe膜层常表现出异常的电导特性,通过在汞气氛中退火,能明显消除这种现象,......
通过测量半磁性半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ晶体在７７～３００Ｋ温度范围的电导率变化，得到了晶体的一个受主深能级约为０．１８ｅｖ左右，并通过分析以及退火后的电导率的测量，认为它......
本文研究了以Ｙ（ＮＯ３）３作为施主掺杂元素制备的ＰＴＣＲ材料的显微结构和宏观性能．指出施主以水溶性化合物形式引入制备的ＰＴＣＲ材料，其性能明显优于常规的施......
本文建立了高速(100kHz)计算机数据采集系统,研究了二分式率窗、正弦窗等几种新的深能级瞬态讯号处理方法和谱线的后处理方法,编制......
TiO2是一种常见的光触媒,但由于带隙较宽制约了其应用.采用第一性原理研究了Ag-X(X=F,Cl,Br,I)共掺杂对锐钛矿TiO2的结合能、态密......
采用低压金属有机化学气相沉积技术,在固定源流量的条件下,通过调节衬底温度(270～360℃)生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜.光谱测量表......
采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮Zn0薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(X......
采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂......
采用低压金属有机化学气相沉积技术，在固定源流量的条件下，通过调节衬底温度（270～360℃）生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明......
采用第一性原理研究了Ce和N共掺杂锐钛矿TiO2的稳定性、电子结构和光学性质.结果表明在锐钛矿TiO2中Ce倾向于间隙掺杂,而N更倾向于......
借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和......
<正> 一、引言氧离子注入n型或p型GaAs半导体材料中能形成具有热稳定性的半绝缘层。在前一篇报告中,已报导了关于它的物理特性的研......
采用基于密度泛函理论（DFT）体系下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究纯锐钛矿相TiO_2在3 d金属杂质Cu与非金属杂质C、N、F单掺及......
采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮ZnO薄膜（ZnO：N）,研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱（XRD）结......
我们用电容瞬态技术研究了P型硅中金的空穴俘获截面与温度的关系。实验测得金的受主能级的空穴俘获截面对温度有强烈的依赖关系,即......
本文是对在多个深能级情况下求分布的理论的改进.原来的理论不适用于在Fermi能级与所研究深能级之间存在浓度与载流子浓度可以比拟......
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通过显微拉曼（Raman）光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍（Be）原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生......
ZnO作为一种拥有优异性能的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,是制备半导体紫外光电器件的理......
闪锌矿ZnS是一种常见的光触媒,是催化水制氢原料。闪锌矿ZnS的带隙较宽(3.68 eV),这在一定程度上制约了闪锌矿ZnS对可见光的吸收。......
从宝石（矿物）的化学组成都具有阴，阳离子的异价类质同象，引起晶格缺陷，产生施主-受主能级，缩短了禁带宽度，在外场作用下电子从陷井中向受......
在本文中,我们先对前此提出的n型砷化镓的一个结构缺陷模型作一扼要的叙述,然后将模型指出的二个深受主能级,与文献报道的一些实验......
ZnO是一种多功能的化合物晶体材料，其特性决定了它在光电、压电、铁磁、气敏、光敏等领域具有广阔的应用前景，特别是作为蓝/紫外光电......
制备高光电性能的p-ZnO,是ZnO基光电器件走向实用化的基础和先决条件。深入了解ZnO中本征缺陷和杂质的行为,对高性能p-ZnO的获取有......
