【摘 要】
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采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc-SiC),并对薄膜的喇曼光谱和光致发光(PL)特性进行了分析.结果表明,nc-SiC薄膜在室温条件下表现出谱带为300~600
【机 构】
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嘉应学院物理系广东梅州514015
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采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc-SiC),并对薄膜的喇曼光谱和光致发光(PL)特性进行了分析.结果表明,nc-SiC薄膜在室温条件下表现出谱带为300~600 nm范围内的较宽光致发光,随退火激光能量密度的增加,nc-SiC薄膜晶化程度增大,原子有序度提高,398 nm附近的发光峰相对强度增加,而470 nm附近发光峰相对减小.并认为这2个发光峰分别来源于6H-SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光,并且这2种发光过程存在竞争.
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