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InGaN/GaN MQW 结构被 MOCVD 种。InGaN/GaN MQW 的光、结构的性质上的生长打断时间的效果被调查。试验性的结果证明生长打断能改进接口质量,增加光致发光(PL ) 和 electroluminescence (EL ) 的紧张;但是如果打断时间太长,在 MQW 的作文的井厚度和一般水准减少了,并且 EL 紧张也由于差的接口质量减少了,杂质源于生长打断。CLC 数字 TN305 这个工作被中国(资助号码 60506012 ) 的国家自然科学基础支持,北京教育委员会发现了(没有。KZ