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本文分析了反应烧结过程中温度场分布对碳化硅(SiC)镜坯的影响,提出安全升降温速率与陶瓷坯体尺寸的平方成反比关系;测试了SiC素坯热膨胀系数、导热系数与温度的关系,在此基础上讨论了镜坯中的热应力与安全升降温参数的确定;同时通过对固态、液态硅(Si)以及Si固液态转变的特性分析,确定了最佳硅熔渗温度;最后分析了反应烧结SiC(RBSiC)中残余应力的产生机理,提出了解决办法。