【摘 要】
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砷化镓材料的特点及MMDS用功放管的发展水平 MMDS工作于S波段低段的2.5～2.7GHz频段,发射机的所需功率等级为几十至几百瓦,适合于采用固体化功放器件。 众所周知,硅材料以其廉
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砷化镓材料的特点及MMDS用功放管的发展水平 MMDS工作于S波段低段的2.5～2.7GHz频段,发射机的所需功率等级为几十至几百瓦,适合于采用固体化功放器件。 众所周知,硅材料以其廉价、温度稳定性好以及易于加工等优点而成为固体化器件传统使用的半导体材料,但由于其电子迁移率低,双极
The characteristics of gallium arsenide materials and the development of power amplifier MMDS tube MMDS work in the low band of S band 2.5 ~ 2.7GHz frequency band, the transmitter power level required for tens to hundreds of watts, suitable for using solid-state amplifier devices . It is well-known that silicon materials are the traditional semiconductor materials used in solid state devices because of their low cost, good temperature stability and easy processing. However, due to their low electron mobility, bipolar
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