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本文为研究重掺杂衬底CMOS工艺中的耦合噪声建立了一个准确的衬底模型。该模型需要几个拟合的参数，可以从器件模拟或是实际测量中得到。基于CMOS 0．35um工艺，设计了一个带隙电压源电路，加入衬底电阻网格模型，对比了SPICE和实际测试的结果，验证了模型准确性，并探讨了衬底噪声的特性。
重掺杂衬底CMOS电路的衬底噪声耦合模型
【摘 要】
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本文为研究重掺杂衬底CMOS工艺中的耦合噪声建立了一个准确的衬底模型。该模型需要几个拟合的参数，可以从器件模拟或是实际测量中得到。基于CMOS 0．35um工艺，设计了一个带隙电压
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院研究生院
【出 处】
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微计算机信息
【发表日期】
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2010年11期
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