【摘 要】
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采用射频磁控反应溅射技术，以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅（SiN）薄膜；利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外．可见光谱，研究了不同衬底
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院
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采用射频磁控反应溅射技术，以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅（SiN）薄膜；利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外．可见光谱，研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及光性能的影响。结果表明；制备的SiN薄膜为富硅结构；提高衬底温度，可增加光学带隙；当衬底温度为450℃时，薄膜由尺寸约为40nm的SiN晶粒组成，且在紫外-可见光区的透过率高达90％。
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