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文章主要介绍了在0．5μm5VCMOS标准制造工艺的基础上，不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度，借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N—CDMOS器件的漂移区长度、沟道长度与击穿电压之间的关系，通过对各参数的模拟和实验设计，最终获得20V高压N—CDMOS最优化的器件结构与工艺参数。其制造工艺与现有5V低压工艺完全兼容，工艺简单、集成度高，可广泛应用于功率器件的芯片上。