16厘米低能强流宽束离子源

来源 :光学仪器 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wenshengfang1985

【摘要】

：

介绍了一个新型16厘米束径多会切磁场低能强流宽束离子源(MCLB-16).由于采用新型多会切磁场和优化的低能引出系统,所以该源在薄膜辅助沉积的能量(200eV～800eV)范围内,具有较好

【作者】

：

冯毓材于梦蛟冯隽

【机构】

：

北京东方安泰克高技术有限公司

【出处】

：

光学仪器

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

：

多会切磁场低能宽束离子源类金钢石膜 multicusplow energybroad beamion source

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介绍了一个新型16厘米束径多会切磁场低能强流宽束离子源(MCLB-16).由于采用新型多会切磁场和优化的低能引出系统,所以该源在薄膜辅助沉积的能量(200eV～800eV)范围内,具有较好的低能特性.源的最大引出束流可达650mA.可用反应气体或惰性气体工作.源在使用氧气时,可连续工作数十小时.该源可用于各种高性能薄膜制备的辅助沉积,也可用于制备大面积类金钢石膜(DLC).叙述了该源的结构及性能.

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