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寻找廉价、清洁的新能源已成为当前人类面临的紧要课题之一。太阳能是一种清洁、安全的可再生资源。在众多光伏材料中，CuInSe2（简称为CIS）是一种直接带隙材料，光吸收系数高达105量级，光电转换效率高。正因这些优点使得CIS薄膜太阳电池成为太阳电池领域的研究热点。CIS材料的制备方法有：蒸发法、溅射硒化法、电沉积方法。电沉积方法因为其设备投资小，成膜质量好，可大面积、连续、低温沉积制备等优点，受到人们的广泛关注。 论文主要研究了电化学沉积方法制备CIS薄膜，对其工艺（溶液体系、络合剂浓度、沉积电位、热处理等因素），薄膜性质进行了详细的研究。研究表明，在5mmol／L氯化铜，30mmol／L三氯化铟，8mmol／L二氧化硒，100mmol／L氯化钾和100mmol／L柠檬酸络合剂组成的电解液中，-0.58～-0.65V（vs．SCE）范围内恒电位沉积30分钟，再在95％（体积比）氩气和5％（体积比）氢气组成的混合气氛中400℃热处理60分钟，可以得到性能较好的CIS薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）和等离子体耦合谱（ICP）、紫外可见分光光度计（UV-VIS）等方法对CIS薄膜进行了详细的表征。通过上述工艺制成的CIS薄膜均匀致密、呈颗粒状且具有黄铜矿结构。 在CIS薄膜基础上试制了CIS太阳能电池，其中关键材料CdS过渡层通过化学水浴沉积方法制备。经标准AM1.5太阳光谱仪测量，电池的平均转化效率为0.47％。论文分析了造成电池效率低的可能原因。 研究结果表明，采用电化学沉积方法，通过精心选择工艺参数可以得到性能优良的CIS薄膜，可应用于CIS薄膜电池的制备。为了得到转化效率高的CIS太阳电池，除了精心控制CIS电沉积工艺外，还需研究后续几层工艺以及影响电池转化效率的因素。