【摘 要】
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文章详细分析了共源共栅级联型低噪声放大器的优化设计方法.文章首先简要的介绍共源共栅MOSFET低噪声放大器优化设计步骤.在此基础上,通过分析整个级联型低噪声放大器的密勒
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文章详细分析了共源共栅级联型低噪声放大器的优化设计方法.文章首先简要的介绍共源共栅MOSFET低噪声放大器优化设计步骤.在此基础上,通过分析整个级联型低噪声放大器的密勒效应对优化设计的影响,进一步提出了对共栅级MOSFET的沟道宽度优化的必要性.最后,文章以一个工作于2.4GHz,0.5μm工艺的低噪声放大器设计为例,证实了前面理论分析的正确性,并根据低噪声放大器的主要设计指标给出了共源共栅结构下共栅级MOSFET的沟道宽度的优化方法.
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