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介绍了NiCr／NiSi薄膜热电偶制作方法与过程。与多孤离子镀法相比，采用磁控溅射法镀制的热电偶薄膜成分与靶材接近，膜层致密均匀、平整光滑，临界厚度薄。对研制的NiCr／NiSi薄膜热电偶进行了静态标定与动态标定，薄膜热电偶的灵敏度为40．1μV／℃，线性误差不大于0．75％，时间常数小于0．35ms．最后将薄膜热电偶温度传感器用于化爆材料模拟切削试验。