【摘 要】
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利用原子层沉积技术（Atomic layer deposition,ALD）进行ZrO2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO2薄膜ALD的最佳工艺条件。分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,福建江夏学院电子信息科学学院,有机光电子福建省高校工程研究中心
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利用原子层沉积技术（Atomic layer deposition,ALD）进行ZrO2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO2薄膜ALD的最佳工艺条件。分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜性能的影响。以四（二甲基氨）基锆（TDMAZ）和H2O为前驱体,制备了均匀性良好,表面粗糙度低,可见光透过率高,水汽阻挡效果良好的ZrO2薄膜。
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